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发出辐射半导体构件、用于发出辐射半导体构件的容纳件以及用于制造发出辐射半导体构件的方法

摘要

本发明涉及一种具有发出辐射特性的、基于半导体的构件。其中设有具有第一表面(2)及第二表面(1)的玻璃衬底(1),其中在第一表面(2)上容纳具有发出辐射特性的半导体元件(5)。本发明进一步涉及用于制造基于半导体的构件的方法,该方法具有以下步骤:-提供玻璃衬底(1),-在玻璃衬底的第一表面(2)上施加半导体元件(5)。本发明还涉及用于基于半导体的构件的容纳件,其中设有两个电接触面(13),该两个电接触面(1)可与基于半导体的构件的接触面(7)导电连接。

著录项

  • 公开/公告号CN101809774B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200880109647.0

  • 发明设计人 J·索格;S·格鲁伯;

    申请日2008-09-12

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人汤春龙

  • 地址 德国雷根斯堡

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-29

    授权

    授权

  • 2010-10-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080912

    实质审查的生效

  • 2010-08-18

    公开

    公开

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