公开/公告号CN101809774B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-08-29
原文格式PDF
申请/专利权人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司;
申请/专利号CN200880109647.0
申请日2008-09-12
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人汤春龙
地址 德国雷根斯堡
入库时间 2022-08-23 09:10:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-08-29
授权
授权
2010-10-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080912
实质审查的生效
2010-08-18
公开
公开
机译: 发出电磁辐射的半导体芯片的制造方法以及发出电磁辐射的半导体芯片
机译: 用于过滤辐射源发出的辐射的粒子的过滤系统,具有辐射源的装置,用于过滤辐射源发出的辐射的粒子的过滤系统以及用于处理辐射的处理系统,石像仪和处理方法辐射源的辐射和传播
机译: 用于热辐射构件的组合物,热辐射构件,电子设备,用于热辐射构件的组合物的制造方法,以及散热构件的制造方法