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一种大容量NAND Flash数据存储方法

摘要

本发明公开了一种大容量NAND Flash数据存储方法,包括:当RAM中的数据容量小于待处理块单元中的数据大小时,选取任意未使用块单元作为数据缓存单元与所述RAM进行数据交互,以使所述待处理块单元中的数据写入到所述RAM中执行数据处理后不会丢失。本发明解决了RAM中的数据存储容量小于块单元数据大小时,导致数据无法全部存储的问题;通过采用将未使用块单元作为数据缓存单元的“虚拟RAM”方法,不仅能够保证数据全部存储且不丢失,而且减少了RAM芯片的数量、降低了成本以及提高了系统的稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN109240940A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 军创(厦门)自动化科技有限公司;

    申请/专利号CN201811020161.1

  • 发明设计人 曾建军;

    申请日2018-09-03

  • 分类号

  • 代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司;

  • 代理人连耀忠

  • 地址 361000 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔星路98号建业楼A705室

  • 入库时间 2024-02-19 07:54:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/02 申请日:20180903

    实质审查的生效

  • 2019-01-18

    公开

    公开

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