公开/公告号CN109451252A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201811292306.3
申请日2018-10-31
分类号H04N5/374(20110101);H04N5/3745(20110101);H04N5/378(20110101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人张宇园
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2024-02-19 07:54:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/374 申请日:20181031
实质审查的生效
2019-03-08
公开
公开
机译: 光电导电池,太赫兹波产生装置,太赫兹波检测装置,太赫兹波产生方法,太赫兹波检测方法
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器