一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下自上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，源电极和漏电极生长在IAZO有源层上，包括：(1)清洗衬底；(2)使用射频磁控溅射法在衬底上生长所述IAZO有源层；(3)使用电子束蒸发，在IAZO有源层表面生长源电极和漏电极，即得。采用射频磁控溅射法的制备工艺，可以制备与靶材组分相近、致密、均一性良好的半导体薄膜材料，与现有的平板显示工艺相兼容，有利于IAZO TFT的低温制备。