用于X射线成像的大面积CdZnTe单晶制备方法

摘要

本发明公开了一种用于X射线成像的大面积CdZnTe单晶制备方法，用于解决现有CdZnTe单晶制备方法难以生长大面积的CdZnTe单晶的技术问题。技术方案是将生长的CdZnTe多晶锭切片作为升华源，将GaAs(100)衬底经过化学腐蚀、超声清洗，再升华源与GaAs(100)衬底放入生长腔室，调整好升华源与GaAs(100)衬底之间的距离，关闭炉门，对生长腔室抽真空并保持真空度，缓慢升温到设定温度，每生长一段时间即降温到一定温度保温一段时间，生长结束后缓慢降温，再自然冷却，得到CdZnTe单晶，将生长好的CdZnTe晶体经过处理后叠层生长，得到高质量的大面积CdZnTe单晶。