一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法

摘要

本发明公开了一种电磁仿真中斜口面激励源的生成方法，先在全局坐标系下建立口面，再在依附于口面的局部坐标系下确定口面的电流密度分布，将口面在全局坐标系和局部坐标系下分别旋转，根据旋转角度计算旋转矩阵，通过旋转矩阵确定全局坐标系和局部坐标系下的点集关联，进而确定口面的电流密度在全局坐标系下的表达方式，最后利用网格对空间进行离散处理来构造斜面激励源，该方法生成的斜面激励源可以实现口面向任意方向出射，通过构造斜面激励源有效的解决了在电磁仿真领域中各种斜面出射的问题，免去了让用户自己构造斜面激励源的繁琐过程，是天线罩仿真，飞机、舰船或车辆的电磁兼容问题以及微波暗室仿真的强有力工具。