位于不同接触区域层级上的接触方案

摘要

本发明涉及位于不同接触区域层级上的接触方案。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及用于位于半导体结构的不同接触区域层级上的接触方案及其制造方法。该结构包括：在结构的第一层级处的第一接触；在结构的第二、更高层级处的跨接接触；蚀刻停止层，其具有在第一接触之上的开口，并且部分地包封跨接接触并具有暴露跨接接触的开口；以及通过开口与第一层级处的第一接触和第二、更高层级处的跨接接触电接触的接触。