一种复合结构的金属氧化物半导体二极管

摘要

本发明设计功率半导体技术，特别涉及一种金属氧化物半导体二极管。本发明的有益效果为：在原专利提出的新型半导体二极管的基础上，添加了正电荷柱区以及P型埋层，正电荷柱区有利于在正向导通时感应出负电荷，产生多子电子的积累层，为多子电流的流动提供了一条低阻通路，降低正向导通压降；反向阻断时，P型埋层与N型漂移区之间引入了横向电场，辅助耗尽漂移区，使得横向电场分布更加均匀，纵向电场更加接近矩形分布，提高半导体二极管的反向耐压。解决了浅槽金属氧化物二极管在正向导通压降较低时反向耐压不高的问题，使得浅槽金属氧化物二极管在保证较低正向导通压降的同时，实现较高的反向耐压。