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机译:H和OH的解吸和扩散对具有各种栅极绝缘体的非晶In-Ga-Zn-0金属氧化物半导体二极管中电子结构的影响
Electronics Research Laboratory, Kobe Steel, Ltd., 1-5-5 Takatsuka-dai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, Japan;
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Electronics Division, KOBELCO Research Institute, Inc., 1-5-5 Takatsuka-dai, Nishi-ku, Kobe 651-2271, Japan;
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机译:具有隧道二极管主体接触结构的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管的超低温射频性能
机译:非晶态Al2O3 / ZnO的界面电子结构与Al / Al2O3 / ZnO金属氧化物半导体结构的电学特性相关
机译:使用非晶态TaSiN作为氧扩散阻挡层将钙钛矿氧化物电介质集成到互补的金属氧化物半导体电容器结构中
机译:具有各种栅极绝缘体的非晶In-Ga-Zn-O金属氧化物半导体二极管中的电子结构
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:X射线拉曼散射研究从绝缘体到金属的稠密固体氧的电子结构
机译:使用非晶态TaSiN作为氧扩散阻挡层将钙钛矿氧化物电介质集成到互补的金属氧化物半导体电容器结构中
机译:用于mOs(金属氧化物半导体)栅极绝缘子的辐射硬度测试的场致电子注入和碰撞电离(F4I)技术的开发