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一种高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器及其制备方法

摘要

本发明属于一氧化碳传感器制备技术领域,尤其是涉及一种高稳定二氧化锡纳米陶瓷基一氧化碳室温传感器及其制备方法。本发明以二氧化锡纳米粉料为原料,通过一种特殊的工艺掺杂一定浓度的10纳米以下的钯粉,而且使其分布均匀。通过压力成型制成一定形状的坯体,经过适当的温度烧结,得到具有一定孔隙率的纳米块体,再通过溅射的方法在纳米块体表面制备金属电极,就能够得到在室温下对一氧化碳具有良好响应且相应稳定的一氧化碳传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN109211982A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN201710552620.X

  • 发明设计人 陈万平;

    申请日2017-07-07

  • 分类号

  • 代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人薛玲

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2024-02-19 07:07:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-31

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G01N27/12 申请公布日:20190115 申请日:20170707

    发明专利申请公布后的撤回

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/12 申请日:20170707

    实质审查的生效

  • 2019-01-15

    公开

    公开

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