包括垂直存储器单元串及导电通路的存储器电路以及在形成垂直存储器单元串及导电通路时使用的方法

摘要

一种在形成垂直存储器单元串及导电通路时使用的方法包括向下部材料中形成第一下部开口及第二下部开口。在所述第一下部开口及所述第二下部开口内形成第一材料。在所述下部材料上方且在所述第一下部开口及所述第二下部开口中的所述第一材料上方形成上部材料。穿过所述上部材料形成通向所述第一下部开口中的所述第一材料的第一上部开口。通过所述第一上部开口从所述第一下部开口移除至少大部分所述第一材料，且在所述第一下部开口及所述第一上部开口内为正形成的所述垂直存储器单元串形成沟道材料。在形成所述沟道材料之后，穿过所述上部材料形成通向所述第二下部开口中的所述第一材料的第二上部开口。在所述第二上部开口内形成所述导电通路的导电材料。还揭示独立于形成方法的结构实施例。