一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法

摘要

一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法，以石英和单晶硅作为衬底，利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)生长一层磷掺杂非晶富硅SiC薄膜，通过改变原料气甲烷(CH4)、硅烷(SiH4)和适量的磷烷(PH3)的气体流量，实现C/Si比的调节以及掺杂浓度的改变；其中CH4/SiH4气体流量的比例范围为0.3～3，PH3的气体流量变化为0sccm～80sccm；通过退火，使非晶SiC薄膜得到晶化，形成镶嵌于非晶SiC膜中的硅纳米晶。SiH4气体流量1sccm以上，PH3的气体流量0.5～80sccm以上。