InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片

摘要

本发明提供了一种InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片。InGaN/(In)GaN量子阱结构包括依次生成的N个量子阱，其中N≥1，第i个(1≤i≤N)量子阱的制造方法包括：若i＝1，则在预设基础结构上形成第一垒层，否则在第i‑1个量子阱上形成第一垒层；在第一垒层上通入第i预设数量的In原子；在第一垒层上形成InGaN阱层；在InGaN阱层上形成盖层；在盖层上形成第二垒层。本发明解决了光电器件的发光效率低和发光均匀性差的问题，达到了提高光电器件的发光效率和发光均匀性的效果。