衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。本发明的技术能够提高衬底的面间均匀性。衬底处理装置具备：在制品晶片支承区域的上下具有虚设晶片支承区域的衬底保持件；收容衬底保持件的处理室；气体供给部，其具有管状的喷嘴和设置于喷嘴的气体供给孔并对衬底保持件实施气体供给，其中，管状的喷嘴以沿着衬底保持件而在上下方向上延伸的方式配置；和将处理室的气氛排气的排气部，在衬底处理装置中，气体供给孔构成为使得其上端位于比被虚设晶片支承区域支承的最上方的虚设晶片低的位置。