一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层包括M个未掺杂的氮化钪铝层和(M+1)个P型掺杂的氮化镓层，M个所述氮化钪铝层和(M+1)个所述氮化镓层交替层叠设置，M为正整数。本发明通过在P型掺杂的氮化镓层中插入至少一个未掺杂的氮化钪铝层，氮化钪铝层和氮化镓层的交界面存在较强的二维空穴气，可以有效提升P型半导体层中空穴的横向扩展能力，降低LED的串联电阻，进而降低LED的正向电压，有利于LED在民用照明上的应用。