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一种制备大面积高质量石墨烯的方法

摘要

一种制备大面积高质量石墨烯的方法,采用遮光材料在生长腔的高温区营造出一片阴影区域,用于遮挡通过热辐射到达金属衬底表面的热量,从而在金属衬底上形成局部低温区,使活性碳原子在该低温区形成局部过饱和并形成石墨烯晶核,并在阴影区逐渐长大。随着石墨烯生长前沿的扩大,在单位时间内能够吸纳更多的活性碳原子进入石墨烯晶格中,因此,在石墨烯的持续生长过程中可以适当提高前驱体的浓度,从而实现石墨烯的快速制备。采用本发明所述方法,不仅可以获得大面积高质量的石墨烯,而且形核生长过程可控,生长速度快,更有利于实现大面积高质量石墨烯的工业化制备,从而促进石墨烯应用研究的发展。

著录项

  • 公开/公告号CN109399621A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安理工大学;

    申请/专利号CN201811508831.4

  • 申请日2018-12-11

  • 分类号

  • 代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨洲

  • 地址 710048 陕西省西安市金花南路5号

  • 入库时间 2024-02-19 06:47:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B32/186 申请日:20181211

    实质审查的生效

  • 2019-03-01

    公开

    公开

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