一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法

摘要

本发明涉及一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法，属于纳米晶材料制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在4.0nm左右的CdZnS核量子点，CdZnS量子点沉淀与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.7nm的CdZnS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体合成CdZnS/CdSe/CdZnS量子点量子阱；该发明方法可以缓解CdZnS核与CdSe发光层之间的晶格适配度，使得CdSe相干应变层很好的结晶，有效改进了传统的核壳结构的量子点的荧光量子产率；制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱使得CdSe发光层很好的被厚的外壳层修饰表面缺陷，最终使得发光效率达到100％。