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一种半导电屏蔽高分子薄膜

摘要

本发明提供一种半导电屏蔽高分子薄膜,薄膜采用内、中、外三层结构,内层通过粘附层与铝带结合,内层采用至少95%比重的EAA,中层采用LLDPE、EVA二者中的至少一种,外层采用EVA和导电炭黑,本发明申请所提供的薄膜采用三层结构,其中,外层为半导电层,提供屏蔽功能;中层为增强层,保障薄膜的机械强度;内层与铝带结合的部分为粘附层,提供薄膜与铝带之间的粘合力以保证稳定的粘合效果。

著录项

  • 公开/公告号CN109203620A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡速达新材料科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201710552235.5

  • 发明设计人 袁齐阳;

    申请日2017-07-07

  • 分类号B32B27/08(20060101);B32B27/18(20060101);B32B27/30(20060101);B32B27/32(20060101);B32B7/12(20060101);C08L23/08(20060101);C08K3/04(20060101);H01B7/22(20060101);

  • 代理机构32262 无锡市朗高知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵华

  • 地址 214125 江苏省无锡市滨湖区太湖街道雪丰路18号

  • 入库时间 2024-02-19 06:45:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):B32B27/08 申请日:20170707

    实质审查的生效

  • 2019-01-15

    公开

    公开

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