高导电率的硅烷交联型半导电屏蔽料的制备及性能研究

摘要

通过挤出共混法制备出一种高导电率的硅烷交联型半导电屏蔽料,对其体积电阻率、力学性能进行研究.通过自产助剂C的引入以达到提高导电率的目的,结果表明:新配方2#、3#试样均符合产品标准,由于3#试样中助剂C的含量更高、体积电阻率下降更明显,因此3#试样性能最佳;3#试样相比于现有半导电屏蔽料PYJGD导电率提升较大,20 ℃体积电阻率减小73％;带电运行体阻(90℃体积电阻率)降低100％.