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高锰硅基碲化物热电复合材料及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种高锰硅基碲化物热电复合材料，其特征在于，具有下列通式(1)所示的化学组成：(MnSi

1. 高锰硅基碲化物热电复合材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN109309155A . 2019-02-05
2. 一种兼具高结构稳定性和高热电性能的碲化锗基热电材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111592357A . 2020-08-28
3. HIGHER MANGANESE SILICIDE BASED TELLURIDE COMPOSITE FOR THERMOELECTRIC CONVERSION AND PREPARATION METHOD THEREOF [P] . 美国专利： US2019067545A1 . 2019-02-28

机译：基于高锰硅化物的碲化物复合材料的热电转化及其制备方法
4. HIGHER MANGANESE SILICIDE BASED TELLURIDE COMPOSITE FOR THERMOELECTRIC CONVERSION AND PREPARATION METHOD THEREOF [P] . 日本专利： JP2019029664A . 2019-02-21

机译：基于高锰硅化物的碲化物复合材料的热电转化及其制备方法
5. FABRICATION METHODS OF BISMUTH TELLURIDE-BASED THERMOELECTRIC THIN FILMS USING CO-EVAPORATION OF ALLOY COMPOSITION SOURCE AND TELLURIUM SOURCE AND THERMOELECTRIC THIN FILMS PRODUCED USING THE SAME METHOD [P] . 韩国专利： KR101268609B1 . 2013-05-29

机译：基于合金成分源和碲源共蒸发的铋碲化物基热电薄膜的制备方法及采用相同方法制备的热电薄膜