一种基于光电集成的光控功率晶闸管

摘要

本申请公开了一种基于光电集成的光控功率晶闸管，包括以下制作步骤：S1、在P‑离子的半导体衬底内进行N‑离子和P‑离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N‑离子的半导体衬底内进行P‑离子和N‑离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；S3、将第一P阱和第二N阱进行导电粘结，将第二P阱和第一N阱进行导电粘结；S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S5、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S6、对半导体衬底进行深槽隔离。由此，晶闸管使用寿命长，制作方法简单，制作效率高。