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Synthesis and Characterization of N- and P- Doped Tin Oxide Nanowires

机译:N-和p-掺杂氧化锡纳米线的合成与表征

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摘要

Bulk-scale synthetic methods for preparing doped tin oxide (SnO2) nanowires (NWs) are presented. n-and p-doping is achieved through insertion of Antimony and Lithium in tin oxide lattice, respectively. We also present a comparison of the structural and optical properties of SnO2 nanoparticles (NPs), and SnO2 NWs. Both n-type and p- type NWs display a characteristic red shift in their photoluminescence (PL) spectra. Surface plasmons observed in these systems imply high carrier concentrations. These corrosion resistant materials are useful in fabricating ultra-sensitive gas detectors and transparent electronics.
机译:提出了用于制备掺杂氧化锡(SnO2)纳米线(NWs)的大规模合成方法。 n和p掺杂分别通过在氧化锡晶格中插入锑和锂来实现。我们还提出了SnO2纳米颗粒(NPs)和SnO2 NWs的结构和光学性质的比较。 n型和p型NW均在其光致发光(PL)光谱中显示出特征性的红移。在这些系统中观察到的表面等离子体激元暗示着高载流子浓度。这些耐腐蚀材料可用于制造超灵敏气体探测器和透明电子设备。

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