首页> 外文OA文献 >Az atomi környezet hatása a rezonáns és nem rezonáns belsőhéj átmenetekre = Effects of the atomic environment on the resonant and non-resonant inner-shell transitions
【2h】

Az atomi környezet hatása a rezonáns és nem rezonáns belsőhéj átmenetekre = Effects of the atomic environment on the resonant and non-resonant inner-shell transitions

机译:原子环境对共振和非共振内壳转变的影响=原子环境对共振和非共振内壳转变的影响

摘要

Kísérleti eredményeinkből meghatároztuk 3d fémek fotonindukált KLL és KLM Auger átmeneteinek energiáit és relatív intenzitásait, a rezonáns fotongerjesztéssel kapott, a lokális elektronszerkezetet tükröző KLL spektrumokat összehasonlítottuk modellszámításainkkal. Elektronkorrelációs szatelliteket azonosítottunk a 3d fémek mért 1s fotoelektronspektrumaiban és modellszámításainkkal értelmeztük az 1s vonalak alakját. NiFe ötvözetek esetében a mért ötvözet-fém Auger paraméter eltolódásokból meghatároztuk az összetevők közötti töltésátadást, kielégítő egyezést kapva modellszámításainkkal. Módszert és programcsomagot fejlesztettünk ki az elektronvisszaszórásos kísérleteinkből kapott elektronspektrumokból a felületi rétegekben zajló elektrontranszportot jellemző fizikai paraméterek és eloszlások meghatározására, ezeket a mennyiségeket kísérleti adatainkból meghatároztuk 3d fémek esetében és alkalmaztuk a mért fotonindukált K-Auger és belsőhéj fotoelektron spektrumaink kiértékelésére és modellezésére. Új elektronszórási jelenséget (felület fölötti szórás) írtunk le, amelyet a kísérleti eredmények igazoltak. Félvezető detektorok töltéstranszport folyamatai leírására, áramjelei meghatározására 3D MC szimulációs modellt dolgoztunk ki, ez a detektorban keltett szabad töltéshordozók mozgását korlátozó folyamatokat a korábbinál részletesebben írja le. A modell érvényét és a programot Si pin fotodióda esetén korábbi kísérleti, ill. MC szimulációs diffúziós és drift adatokkal ellenőriztük. | From new experiments the energies and relative intensities of the KLL and KLM Auger transitions photoinduced from 3d metals were determined and the KLL spectra obtained using resonant photoexcitation (reflecting the effects of the local electronic structure) were compared with model calculations. Electron correlátion satellites were identified in all measured 1s photoelectron spectra of 3d metals and the 1s lineshapes were interpreted by model calculations. In the case of NiFe alloys the charge transfer was derived from the measured alloy-metal Auger parameter shifts, in a satisfactory agreement with model calculations. A method and program package were developed for determining the physical parameters and distributions - characterizing the electron transport in surface layers – from spectra of electrons backscattered from 3d metals. These quantities were applied for evaluating and modeling the measured K-Auger and core photoelectron spectra. A new electron scattering phenomenon (super surface scattering) has been described and confirmed by experiments. A 3D MC model to simulate the charge transport and to aid the derivation of current signal in semiconductor radiation detectors was developed. The model describes the processes limiting the movement of free charge carriers in the detectors in more details than other models. The model and the program was tested for Si pin photodiode, its validity was verified by earlier experimental and MC simulated diffusion and drift data.
机译:从我们的实验结果中,我们确定了3d金属的光子诱导的KLL和KLM Auger跃迁的能量和相对强度,并将通过共振光子激发获得的反映局部电子结构的KLL光谱与我们的模型计算进行了比较。在测量的3d金属的1s光电子能谱中确定了电子相关卫星,并通过我们的模型计算来解释1s线的形状。对于NiFe合金,组件之间的电荷转移是根据所测量的合金-金属俄歇参数位移确定的,与我们的模型计算获得了令人满意的一致性。我们开发了一种方法和软件包,用于根据从我们的电子反向散射实验获得的电子光谱确定表面层中电子传输的物理参数和分布,这些量是根据我们对3d金属和实验结果证实了一种新的电子散射现象(表面散射)。为了描述半导体探测器的电荷传输过程并确定其电流信号,我们开发了3D MC仿真模型,该模型比以前更详细地描述了限制探测器中生成的自由电荷载流子运动的过程。先前已经分别测试了在Si引脚光电二极管的情况下模型和程序的有效性。用扩散和漂移数据验证了MC。 |从新的实验中,确定了从3d金属光诱导的CLL和KLM Auger跃迁的能量和相对强度,并将使用共振光激发(反映了局部电子结构的影响)获得的CLL光谱与模型计算进行了比较。在所有测得的3d金属的1s光电子光谱中识别出了电子相关卫星,并通过模型计算来解释1s线形。对于NiFe合金,电荷转移是从测得的合金-金属俄歇参数位移得出的,与模型计算令人满意。开发了一种方法和程序包,用于从3d金属反向散射的电子光谱中确定物理参数和分布-表征表面层中的电子传输-。这些量用于评估和建模测得的K-Auger和核心光电子能谱。已经描述并通过实验证实了新的电子散射现象(超表面散射)。开发了一个3D MC模型,用于模拟电荷传输并帮助导出半导体辐射探测器中的电流信号。该模型比其他模型更详细地描述了限制自由电荷载流子在检测器中移动的过程。测试了该模型和程序的Si引脚光电二极管,并通过早期实验和MC模拟的扩散和漂移数据验证了其有效性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号