首页> 外文OA文献 >Mean-field approach to ferromagnetism in (III,Mn)V diluted magnetic semiconductors at low carrier densities
【2h】

Mean-field approach to ferromagnetism in (III,Mn)V diluted magnetic semiconductors at low carrier densities

机译:在低载波密度下(III,Mn)V稀释磁半导体的铁环作用的平均场方法

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

We present a detailed study, within the mean-field approximation, of animpurity band model for III-V diluted magnetic semiconductors. Such a modelshould be relevant at low carrier densities, below and near the metal-insulatortransition. Positional disorder of the magnetic impurities inside the hostsemiconductor is shown to have observable consequences for the shape of themagnetization curve. Below the critical temperature the magnetization isspatially inhomogeneous, leading to very unusual temperature dependence of theaverage magnetization as well as specific heat. Disorder is also found toenhance the ferromagnetic transition temperature. Unusual spin and chargetransport is implied.
机译:我们在平均场近似范围内对III-V稀释磁性半导体的杂质带模型进行了详细研究。这样的模型应该在金属-绝缘体转变以下和附近的低载流子密度下相关。主体半导体中的磁性杂质的位置紊乱显示出对磁化曲线形状具有可观察到的结果。在临界温度以下,磁化在空间上是不均匀的,导致平均磁化以及比热的非常不寻常的温度依赖性。还发现紊乱增强了铁磁转变温度。暗示了异常的自旋和电荷传输。

著录项

  • 作者

    Mona Berciu; R. N. Bhatt;

  • 作者单位
  • 年度 2004
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"english","id":9}
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号