EVALUATION THEORIQUE DE LA REALISATION DE RUBANS DE SILICIUM MONOCRISTALLINS A PARTIR DE RUBANS POLYCRISTALLINS PAR DEPLACEMENT D'UNE ZONE FLOTTANTE

摘要

Ce rapport décrit les résultats d'une étude théorique des conditions de stabilité de la forme - l'épaisseur en particulier -de rubans de silicium recristallisés à partir d'un ruban source poly-cristallin par déplacement d'une zone fondue. Ces conditions dérivées d'une analyse simplifiée du profil des extrémités de la zore fondue statique utilisent un critère d'équilibre de la ligne de raccordement solide-liquide-vapeur. Cette recherche motivée par les applications photovoltaïques terrestres des rubans autosupportés a montré que les épaisseurs du ruban source et du ruban recrîstallisé doivent être très voisines, soit de l'ordre de 100,um. Ceci inplique nécessairement pour le ruban source la mise au point d'une technique de dépôt de silicium polycristallin, CVD par exemple, et d'un substrat détachable, les essais de laminage de lingots polycristallins ayant échoué par ailleurs.