RADIATION DOSAGE; DOSIMETERS; ELECTRIC POTENTIAL; FIELD EFFECT TRANSISTORS; INCIDENT RADIATION; PATENTS;
机译:晕掺杂和硅覆盖层厚度对Ge p-MOSFET中总剂量效应的影响
机译:基于p-MOSFET的剂量计的直接和脉冲电流退火:“ MOSkin”
机译:p-MOSFET剂量计中的无角度空气等效和组织等效幻像响应测量结果的比较。
机译:晕掺杂和硅覆盖层厚度对Ge p-MOSFET中总剂量效应的影响
机译:基于合成金刚石的X射线剂量计中金属界面附近的剂量增强。
机译:使用光学刺激的发光剂量计的体内监测总皮肤剂量
机译:测量用光学刺激的发光剂量计暴露的辐射,并评估总时间和荧光透视剂量的评估