Crystal defects; Diffusion length; Silicon carbides; Minority carriers; Electron beams; Variational principles; Electron diffusion; Beam currents; Additives;
机译:电子束能量和Ge纳米晶体尺寸对通过纳米电子束感应电流技术测量的少数载流子扩散长度的影响
机译:电子束感应电流测量掺硅氮化镓薄膜中的少数载流子扩散长度
机译:电子束感应电流测量β-Ga_2O_3中非平衡少数载流子的扩散长度
机译:晶体缺陷对6H SiC 太阳能电池少数型载波扩散长度的影响
机译:晶体硅的铝吸杂剂可改善少数载流子扩散长度并用于基本扩散机理的研究。
机译:校正:从聚焦电子束诱导沉积获得的Cu–C材料的生长后退火后形成纯Cu纳米晶体:不同方法的比较
机译:电子束感应电流评估n型β-FeSi2单晶中少数载流子扩散长度
机译:用电子束感应电流法测量6H siC中晶体缺陷对少数载流子扩散长度的影响