Trapped electrons; Silicon; Semiconductor devices;
机译:勘误表:GaN高电子迁移率晶体管在大信号射频操作下的热电子生成(Applied Physics Letters(2017)111(013506)DOI:10.1063 / 1.4991665)
机译:Si-SiO_2界面电子俘获/去俘获对阳极氧化超薄SiO_2 MOS(p)结构中二态电流的影响
机译:勘误:旋转容器中重粒子上的布劳(Brouwer)问题:波传播,离子阱和转子动力学(《物理学快报》 A节:一般,原子和固态物理学(2011)375(1653))
机译:SiO
机译:由结合在功能磁铁中的电子云引起的快速横梁不稳定性。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:捕获电子在siO(2)中的稳定性
机译:siO(sub 2)中捕获电子的稳定性