Silicon; Czochralski method; Crucibles; Computerized control systems; Gas analysis; Hygrometry; Gas chromatography; Pyrometers; Economic analysis; Crystal growth; Process control; Process development units;
机译:坩埚直径对连续晶体结晶过程中传热和熔体流动的影响
机译:开发先进的CZOCHRALSKI生长过程,从单一坩埚生产低成本150千克硅锭,以进行技术准备。 1980年10月1日,1980年10月1日的第一季度进展报告
机译:开发先进的Czochralski生长工艺,从单坩埚生产低成本150-KG硅锭,实现技术准备。 1981年1月1日至3月31日的第二季度进展报告