Annealing; Indium phosphides; Laser beams; Gallium arsenides; Doping; Selenium; Ion implantation; Reprints; Neodymium YAG lasers; Doped materials;
机译:Nd:YAG激光退火GaAs / AlGaAs量子阱微结构中温度分布的有限元模型计算
机译:使用盖退火无序的集成外腔InGaAs / InP激光器
机译:InP衬底上生长的InGaAsSbN量子阱二极管对电致发光和激光操作的退火效应
机译:偏振双稳态脊波导InGaAsP / InP激光器的近场扫描光学显微镜
机译:InAlGaAs / InP发光晶体管和晶体管激光器工作在1.55微米附近。
机译:扫描电子显微镜比较表面评价Nd:YAG和ER:YAG激光器下的不同照射设置玻璃静态陶瓷
机译:用于CMS跟踪器光学链路的InGaAsP / InP 1310 nm激光器的辐射损伤,退火和老化的综合研究