Silicon; Auger electron spectroscopy; Boltzmann equation; transport properties; Interfaces; Chemisorption; Oxygen; Semiconductors; Reprints;
机译:通过角度分辨研究Si 2p和Si 1s含量以及Si KLL Auger跃迁来研究SiO2 / SiC界面的性能
机译:原子层沉积的原位俄歇电子能谱研究:钌ALD在Si-H,SiO2和HfO2表面上的生长引发和界面形成反应
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机译:通过第一性原理计算得出的SiC / SiO2界面碳相关缺陷形成的氧化效应
机译:无定形SiO2纳米粒子的计算建模及其电子结构计算
机译:石墨烯/α-SiO2(0001)界面的密度泛函理论计算
机译:铅锶之间界面区域组成变化的研究俄歇发射的钛酸盐(PST)/ SiO2和锆钛酸铅(PZT)/ SiO2光谱学
机译:X射线光电子和X射线诱导的俄歇电子能谱数据,3。石墨,si,siC,si sub 3 N sub 4和siO sub 2. si3N4和siO2