Gallium arsenides; Schottky barrier devices; Diodes; Microwave equipment; Millimeter waves; Control; Physical properties; Packaged circuits; Sensitivity; Conversion; Losses; Mixers(Electronics); Theory; Experimental design; Gap diodes; Barrier height;
机译:基于N-GaAs的肖特基二极管进行不同触点的电气特性:电流电压的温度依赖性
机译:探测分子控制的或等离子氮化的GaAs表面的电性能:两种用于修改金属/ GaAs二极管电特性的工具
机译:有机罗丹明B界面层在p-GaAs上Al肖特基接触的电学特性的势垒高度增强和温度依赖性
机译:(NH4)2SX硫化技术使GaAs表面硫钝化增强Au / n-GaAs肖特基势垒二极管的电特性
机译:理解金属/半导体肖特基接触的电性能:块体和纳米级结构中势垒不均匀性和几何形状的影响。
机译:用于射频功率检测和低功率接收应用的双功能片上AlGaAs / GaAs肖特基二极管
机译:电子束沉积技术制造的GaAs肖特基触点的电气特性。