Gallium arsenides; Stoichiometry; Surface reactions; Molecular structure; Crystal structure; Surfaces; Reprints;
机译:GaAs((1)over-bar(1)over-bar(1)over-bar)表面的根19x根19重构的结构模型及其相对稳定性
机译:3C-SiC(111)和6H-SiC(0001)表面的(2根3 x 2根3)R30度重构的结构模型
机译:GaAs(111)B(19x19)R23.4表面重建
机译:Si(111)上的氢化学吸附3×330° - κB,-GA,-B表面的平方根:AB初始HF / DFT分子轨道模拟使用原子簇
机译:方程W =平方根[(1 + O)Z] +平方根[1 + Z]的RIEMANN表面
机译:考虑表面振动和新的(111)B重构的GaAs和InAs的平衡晶体形状:从头算热力学
机译:化学电位在表面重建中的作用:GaAs(111)2x2的新模型和相位过渡
机译:极地半导体表面的从头算理论。 I.方法和Gaas(111)的(2X2)重建