Backscattering; Boron; Cadmium tellurides; Implantation; Optical detectors; Single crystals; Contrast; Crystal structure; Crystals; Depth; Dosage; Energy; Gallium arsenides; Liquid nitrogen; Neutrons; Optical properties; Profiles; Room temperature; Spectrometry; Spec;
机译:B +注入后硅中的缺陷-使用正电子束技术,Rutherford反散射,二次中性质谱和红外吸收光谱进行的研究
机译:Rutherford背散射光谱研究注入锌和氧离子的硅
机译:使用光感应电流瞬态光谱,卢瑟福反向散射,表面光电压光谱和伽马射线光谱学研究Cd(Zn)Te器件的不对称性
机译:逆转碲化镉镉中硼的两次注入时间表的影响
机译:使用原子序数对比扫描透射电子显微镜和卢瑟福背散射光谱技术对硒化镉纳米晶体系统进行原子能级表征。
机译:低相干增强背散射光谱法测量光散射特性
机译:卢瑟福背散射光谱,椭圆偏振光谱和透射电子显微镜对注入的SiC损伤的观察