Bias; Emission spectra; Field intensity; Light; Tunneling(Electronics); Voltage;
机译:通过偏离轴电子全全息术与结构,化学和光电子表征indaN / GaN蓝色发光二极管的MOCVD和混合GaN隧道结的静电电位映射。
机译:GaSb基单片谐振腔发光二极管的制造和表征,该二极管发射约2.3μm并包括隧道结
机译:具有低电阻InGaN隧道结的GaN基三结级联发光二极管
机译:蓝色(IN,GA)N发光二极管,带埋地
机译:基于隧道结的紫外发光二极管
机译:在p-Si / ZnO结的表面具有自调制寄生隧穿场效应晶体管的集成ZnO纳米电子发射器
机译:具有掩埋偏振诱导的N-AlGaN / Ingan / P-AlGaN隧穿接线的UV发光二极管