Trapping(Charged particles); Gallium arsenides; Capacitance; Doping; Electrons; Epitaxial growth; Gettering; Growth(General); Layers; Measurement; Molecular beams; Photoelectricity; Reprints; Temperature; Silicon; Antimonides; Indium;
机译:Te电子掺杂对分子束外延生长ZnO薄膜物理性能的影响
机译:通过分子束外延生长的Be掺杂Al0.2Ga0.8As层中的深孔陷阱
机译:分子束外延生长在Si掺杂InGaAlP中的深电子俘获中心
机译:气体源分子束外延生长的等电P掺杂GaN外延层发出的强蓝光
机译:用铍辅助分子束外延生长氮化镓与氮化镓和镁的p型掺杂问题
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过分子束外延生长的GaP中的等电子态氮中心发出黄绿色发光
机译:分子束外延生长的si掺杂n-Gaas中等电子In或sb掺杂对陷阱的抑制