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机译:能量范围在0.8 MeV至65 MeV的质子辐照后晶体硅太阳能电池的电致发光效率下降
CHARGE-CARRIER KINETICS; DAMAGE; SEMICONDUCTORS; RADIATION;
机译:能量范围在0.8 MeV至65 MeV的质子辐照后晶体硅太阳能电池的电致发光效率下降
机译:非晶/晶体硅异质结太阳能电池中1.7 MeV质子引起的损伤研究
机译:MeV质子辐照下n型Fz硅二极管的电荷收集效率下降
机译:薄膜纳米晶体太阳能电池与1 meV质子的降解
机译:从10 MEV到80 MEV偶发动能的低能反质子质子散射
机译:蒙特卡洛计算能量范围为50–400 MeV的质子的EBT3和EBT-XD薄膜的质量阻止能力
机译:1 MeV电子和3MeV质子辐照InGaAs单结太阳能电池的降解分析
机译:用1.00meV质子照射的非晶硅合金太阳能电池的退火特性