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机译:Hebb-Wagner法估算的Pr_2(Ni,Cu,Ga)O_(4 +δ)-(Ce,Sm)O2-δ层压膜中的氧化物离子电导率
Oxide ion conductor; Nano effects; Pr_2NiO_4; Sm-doped CeO_2;
机译:Hebb-Wagner法估算的Pr_2(Ni,Cu,Ga)O_(4 +δ)-(Ce,Sm)O2-δ层压膜中的氧化物离子电导率
机译:Pr_2Ni_(0.71)Cu_(0.24)Ga_(0.05)O_4 / Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_2叠层膜中的电子和氧化物离子电导率
机译:使用通过丝网印刷方法II制备的掺杂LaGaO_3电解质膜提高了固体氧化物燃料电池的发电性能。 Ni-Ge_(0.8)Sm_(0.2)O_(1.9)金属陶瓷阳极载体的优化
机译:通过层膜改善PR_2NI_(0.75)CU_(0.05)GA_(0.05)GA_(0.05)CE_(0.05)CE_(0.8)CE_(0.8)CE_(0.8)O_(0.1)(PNCG-SDC)层(0.2)的氧化物离子电导率
机译:晶界的存在对掺g氧化铈薄膜的面内离子电导率的影响。
机译:增强可回收铜箔上石墨烯氧化物的还原以制造具有优异导热性的石墨烯薄膜
机译:外延应变对YBa_(2)Cu_(3)O_(7-x)/ PrBa_(2)Cu_(3)O_的YBa_(2)Cu_(3)O_(7-x)薄膜生长机制的影响(7)超晶格