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机译:薄膜硅太阳能电池高温CVD期间杂质从未涂覆的杂质扩散出来。
Thin-film crystalline si solar cells; Impurity diffusion; Diffusion barrier; Ceramic substrates; Silicon;
机译:薄膜硅太阳能电池高温CVD期间杂质从未涂覆的杂质扩散出来。
机译:异质衬底上的薄膜多晶硅太阳能电池:在中等温度(700-1300℃)下成膜
机译:异质衬底上用于薄膜太阳能电池的氮化硅和本征非晶硅双抗反射涂层
机译:气体稀释比和衬底温度对使用PECVD的Si / UC-Si薄膜太阳能电池结构转变的影响
机译:使用VHF PECVD技术开发和优化高效薄膜硅基太阳能电池。
机译:钙钛矿型太阳能电池材料CH3NH3PbI3中金属杂质的形成和扩散:对太阳能电池降解和电极选择的影响
机译:通过VHF pECVD在100℃衬底温度下沉积的薄膜硅n-i-p太阳能电池