Low programming input, direct overwrite and synchronous phase-change random access memory (SPRAM)

Yung-Sung Hsu; Yung-Chiun Her

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Low programming input, direct overwrite and synchronous phase-change random access memory (SPRAM)

机译：低编程输入，直接覆盖和同步相变随机存取存储器（SPRAM）

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The programming inputs for phase-change random access memories (PRAMs) can be significantly reduced by using voltage pulse for RESET (V_(reset)) and current pulse for SET (I_(set)) for different structures. Based upon two-dimensional electrothermal simulations, the PRAM cells can be operated by V_(reset) and I_(set) pulses of 50 ns at amplitudes as low as 0.27 V and 35 mu A, respectively. The direct overwrite function can be achieved under this mode, and extra asynchronous suspending circuits are not needed.

机译：通过将电压脉冲用于RESET（V_（reset）），将电流脉冲用于SET（I_（set）），可以显着减少相变随机存取存储器（PRAM）的编程输入。基于二维电热模拟，PRAM单元可以通过50 ns的V_（复位）和I_（设置）脉冲以低至0.27 V和35μA的幅度工作。在这种模式下可以实现直接覆盖功能，并且不需要额外的异步挂起电路。

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来源
《Scripta materialia》 |2009年第12期|共4页
作者
Yung-Sung Hsu; Yung-Chiun Her;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类冶金工业;
关键词
ANSYS finite element analysis; Direct overwrite; Low programming inputs; Synchronous phase-change random access memory; Operation strategy;

机译：ANSYS有限元分析;直接覆盖;编程输入少;同步相变随机存取存储器;操作策略;

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