机译:具有66MHz同步突发读取操作的0.1μm1.8V 256Mb相变随机存取存储器(PRAM)
phase changing circuits; random-access storage; 0.1 micron; 0.5 Mbit/s; 1.8 V; 10 ns; 2.67 Mbits/s; 256 MBytes; 62 ns; 66 MHz; 99 C; PRAM; charge pump system; phase-change random access memory; synchronous burst-read operation; Burst-read; charge pump; endurance; phase-ch;
机译:具有66MHz同步突发读取操作的0.1-μmu{hbox {m}} $ 1.8-V 256-Mb相变随机存取存储器(PRAM)
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