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【24h】

A modified model for deformation via partial dislocations and stacking faults at the nanoscale

机译:一种通过局部位错和堆垛层错在纳米尺度变形的改进模型

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摘要

The partial dislocation model for the deformation mechanism of nanocrystalline materials is extended to consider the influence of non-uniform dislocation extension. The non-uniform partial dislocation extension model is more consistent with experimental data than the original partial dislocation model. Additionally, the flow stress obtained from the non-uniform extension model is compared with that from the Hall-Petch relation.
机译:扩展了用于纳米晶体材料变形机理的部分位错模型,以考虑不均匀位错扩展的影响。与原始的部分位错模型相比,非均匀的部分位错扩展模型与实验数据更加一致。此外,将从非均匀扩展模型获得的流应力与从Hall-Petch关系获得的流应力进行比较。

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