La plateforme ASTEP du Plateau de Bure -Tests en environnement radiatil naturel de composants et circuits electroniques

摘要

La reduction des dimensions des composants microelectroniques et l'augmentation de la densite d'integration des circuits qui en decoule (suivant la fameuse Loi de Moore) a pour consequence une augmentation de la sensibilite des circuits a l'environnement radiatif terrestre naturel. Cette sensibilite aux particules atmospheriques directement (protons) ou indirectement (neutrons) ionisantes peut provoquer des defaillances non destructives (aleas logiques) ou destructives (latchup) dans la plupart des circuits electroniques, notamment les memoires volatiles de type RAM statique (SRAM), objet d'etude des travaux menes depuis 2004 sur la plateforme de test europeenne ASTEP du Plateau de Bure. Cet article presente en detail la plateforme ASTEP, son implantation, les instruments (moniteur neutron du Plateau de Bure) et experiences (testeurs de memoires) actuellement installees sur le Plateau de Bure ainsi qu'une synthese des principaux resultats portant sur la caracterisation de memoires SRAM fabriquees en technologies 130 nm et 65 nm sur silicium massif.