Croissance d'heterostructures a base de Nitrure de Gallium pour applications en electronique de puissance

摘要

Cet article decrit l'influence des defauts structuraux generes durant l'heteroepitaxie de films a base de nitrure de gallium sur leurs proprietes electriques, en particulier sur la mobilite des electrons et sur le caractere isolant des couches tampons qui sont d'importants facteurs de merite pour l'electronique de puissance.