Etude des criteres de formation des defauts latents, induits par les ions lourds, sur des structures elementaires SiO_2-Si representatives des dispositifs MOS embarques

摘要

Les ions lourds naturellement presents dans l'environnement radiatif spatial constituent une contrainte a prendre en compte pour l'electronique embarquee. Il a ete observe que les ions lourds induisent des modifications structurelles nanometriques dans l'oxyde de nos structures elementaires SiO_2-Si representatives des dispositifs MOS embarques. Ces modifications structurelles jouent le role de defauts latents qui, durant le fonctionnement du composant, font claquer prematurement l'oxyde de grille des transistors MOS de puissance, reduisant ainsi leur duree de vie. A partir d'une etude statistique topographique de nos structures irradiees, nous cherchons a mettre en evidence les parametres a prendre en compte pour mieux comprendre les mecanismes physiques a l'origine de la formation de ces defauts latents, C'est en connaissant les criteres de formation des modifications structurelles qui peuvent jouer le role de defaut latent que nous pourrons faire etat de la realite, a savoir quelle est leur probabilite de formation afin d'etablir par la suite une bonne evaluation des risques lies a ces defauts.