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Thin-disk Raman laser operation of Yb:YVO4/YVO4 around 1120 nm

机译:Yb:YVO4 / YVO4的薄盘拉曼激光操作在1120 nm附近

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摘要

We present diode-pumped Yb:YVO4/YVO4 thin-disk Raman laser operation around 1120 nm. The thin-disk crystals, Yb:YVO4, and the Raman crystal, YVO4, are cut with 250 mu m and 20 mm, respectively. In multimode configurations, up to 0.91 W of Raman laser output power and a maximum slope efficiency of 10% are demonstrated corresponding to a pump power of 10 W. A continuous wavelength tuning range of 54 nm from 1096 to 1150 nm with a maximum output power of 320 mW at 1126 nm is confirmed.
机译:我们介绍了约1120 nm的二极管泵浦Yb:YVO4 / YVO4薄盘拉曼激光操作。薄盘晶体Yb:YVO4和拉曼晶体YVO4分别切成250微米和20毫米。在多模配置中,对应于10 W的泵浦功率,证明了高达0.91 W的拉曼激光输出功率和10%的最大斜率效率。从1096到1150 nm的54 nm连续波长调谐范围具有最大输出功率在1126 nm处确认到320 mW的功率。

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