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Electric field control and analyte transport in Si/SiO2 fluidic nanochannels

机译:Si / SiO2流体纳米通道中的电场控制和分析物传输

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摘要

This article presents an analysis of the electric field distribution and current transport in fluidic nanochannels fabricated by etching of a silicon chip. The channels were overcoated by a SiO2 layer. The analysis accounts for the current leaks across the SiO2 layer into the channel walls. Suitable voltage biasing of the Si substrate allows eliminating of the leaks or using them to modify the potential distribution of the fluid. Shaping the potential in the fluid can be utilized for solute focusing and separations in fluidic nanochannels.
机译:本文介绍了通过硅芯片蚀刻制造的流体纳米通道中的电场分布和电流传输的分析。通道被SiO2层覆盖。该分析说明了穿过SiO2层进入通道壁的电流泄漏。硅衬底的适当偏压可消除泄漏或使用泄漏来改变流体的电势分布。形成流体中的电势可用于在流体纳米通道中进行溶质聚焦和分离。

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