首页> 外文期刊>Modelling and simulation in materials science and engineering >Atomistic investigations of misfit dislocation for Pt/SiC(111) interface fracture
【24h】

Atomistic investigations of misfit dislocation for Pt/SiC(111) interface fracture

机译:Pt / SiC(111)界面断裂错位错位的原子学研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

An interface has some special features in a fracture because of its misfit dislocations. In this work, we use ab initio-based interatomic potentials to study this problem in a Pt/SiC(1 1 1) interface. The whole dynamic process is simulated in the atomistic scale. Micro-cracks and jump points are found in the fracture, which lead to some interesting results.
机译:由于界面错位,界面在骨折中具有某些特殊功能。在这项工作中,我们使用从头算的基于原子间的电势来研究Pt / SiC(1 1 1)界面中的此问题。整个动态过程是在原子尺度上模拟的。在裂缝中发现了微裂纹和跳跃点,这导致了一些有趣的结果。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号