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机译:测得的笔射束参数在电子束模型评估中的应用。
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机译:测得的笔射束参数在电子束模型评估中的应用。
机译:利用测得的正电子发射核分布数据的活动铅笔束算法在治疗性SOBP质子束中的应用
机译:通过从电子束路径中删除电子束修改滤镜,可以将用于蒙特卡洛光子束建模的初始电子束参数解耦。
机译:电子束放射治疗混合笔束剂量计算算法的实验验证
机译:用于Proteusplus铅笔束扫描质子疗法的测量和计算横向Penumbra的比较
机译:质子铅笔梁扫描蒙特卡罗计算光束建模过程中的陷阱
机译:VUV和软X射线自由电子激光器FLASH(以前的VUV-FEL)是DESY \ ud的用户设施 (汉堡)。为了优化设施的性能,\ ud的准确表征 电子束特性至关重要。横向投影发射率,重要参数之一 表征电子束质量的方法是使用具有光学\ ud 过渡辐射监测仪。 1 udC光束的归一化均方根发射率低于2 mmmrad 测量。在本文中,我们描述了实验设置,数据分析方法以及当前\ ud 实验结果。