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Performance of an irradiated LHCb prototype p-on-n silicon microstrip detector

机译:辐照 LHCb 原型 p-on-n 硅微带探测器的性能

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摘要

A prototype silicon detector for the LHCb experiment has been irradiated non-uniformly with fluences of up to 10(15) p/cm(2) of 24 GeV protons and tested with LHC speed electronics in a test beam, After doses equivalent to one year of operation at the LHC, the detector was operational, and deteriorated after higher doses. The performance of this detector identifies particular risks associated with a p-on-n fine pitch design with a double metal layer. (C) 2002 Published by Elsevier Science B.V. References: 5
机译:用于大型强子对撞机实验的原型硅探测器已经用高达 10(15) p/cm(2) 的 24 GeV 质子的通量进行非均匀辐照,并在测试光束中使用 LHC 速度电子器件进行测试,在相当于在 LHC 运行一年的剂量后,探测器可以运行,并在更高剂量后恶化。该检测器的性能可识别与具有双金属层的 p-on-n 细间距设计相关的特定风险。(C) 2002年由Elsevier Science B.V.出版[参考文献:5]

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